Intracranialis EEG-monitorozási eljárások / Tóth Márton, Janszky József
Bibliogr.: p. 82-83. - Abstr. hun., eng. - DOI: https://doi.org/10.18071/isz.73.0079
In: Ideggyógyászati Szemle. - ISSN 0019-1442, eISSN 2498-6208. - 2020. 73. évf. 3-4. sz., p. 79-83. : ill.
Gyógyszerrezisztens epilepsziabetegség esetén a reszektív sebészeti beavatkozás nyújtja a legjobb esélyt a rohammentességre. Elokvens kérgi área mellett elhelyezkedő rohamindító zóna, vagy extratemporalis betegek MR-negativitása, vagy diszkordáns preoperatív vizsgálati eredmények esetén intracranialis EEG-vizsgálat elvégzése szükséges. Jelenleg háromfajta elektróda használata a legelterjedtebb: 1. foramen ovale (FO) elektróda, 2. subduralis strip vagy grid elektróda (SDG), 3. mélyelektróda (sztereo-elektroencefalográfia, SEEG). Az FO elektróda használata napjainkban a bitemporalis esetekre korlátozódik. Az SDG és az SEEG, különálló filozófiai megközelítéssel, különböző előnyökkel és hátrányokkal rendelkezik. Az SDG alkalmas a hemisphaerialis és interhemisphaerialis felszín közeli rohamindító zónák meghatározására az MR-negatív és MR-pozitív epilepsziás betegekben egyaránt; elsőként választandó módszer elokvens kérgi áreák közelében elhelyezkedő rohamindító zóna esetében. Az SEEG a mélyebb corticalis struktúrák (sulcus alatti dysplasiák, amygdala, hippocampus) feltérképezésére kiválóan alkalmas, azonban a kis felbontás miatt nagyon pontos tervezést igényel. Mindkét módszer magas posztoperatív rohammentességet kínál (SDG: 55%, SEEG: 64%), tolerálható szövődményráta mellett. Kulcsszavak: gyógyszerrezisztens epilepszia, epilepsziasebészet, intracranialis, EEG, iEEG, SDG, SEEG